مدلسازی و طراحی اسیلاتورهای کم نویز cmos

پایان نامه
  • وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی (نوشیروانی) بابل - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر
  • نویسنده خدیجه نعمت زاده
  • استاد راهنما حسین میارنعیمی
  • تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
  • سال انتشار 1392
چکیده

نوسان¬سازهای حلقوی بطور گسترده¬ای در حلقه¬های قفل فاز برای کلاک و تولید پالس ساعت در ریزپردازنده¬ها و بازیابی داده و ترکیب فرکانسی مورد استفاده قرار می¬گیرند. این پایان¬نامه با ارائه یک رویکرد تحلیلی جدید، به استخراج معادلات فرکانس نوسان و نویز فاز نوسان¬ساز حلقوی مبتنی بر گیت معکوس¬کننده می-پردازد. از نقاط قوت این اسیلاتورها قابلیت مجتمع شدن بسیار زیاد آن¬ها و از نواقص آن¬ها نویز فاز نامناسب در مقایسه با نوسان¬سازهای سلف و خازنی است. در این پایان¬نامه، یک روش جدید جهت تحلیل پریود نوسان نوسان-سازهای حلقوی پیشنهاد شده است. این روش برای تمام نوسان¬سازهای حلقوی مبتنی بر گیت معکوس¬کننده با تعداد طبقات فرد، قابل استفاده می¬باشد. در این تحقیق، شکل موج¬های مدار با فرکانس مجهول تخمین زده می-شوند و نشان داده می¬شود ولتاژهای ورودی و خروجی یک طبقه در طول یک پریود نوسان، روی یک بیضی حرکت می¬کنند که با تحت پوشش قرار دادن همه نواحی که ترانزیستورها در طول یک دوره تناوب طی میکنند، معادلات حاکم بر مدار نوشته می¬شود و با قرار دادن روابط ولتاژ ورودی و خروجی در معادلات حاکم، روابط بسته ای برای فرکانس نوسان بدست می¬آید. در ادامه نیز، جهت محاسبه جیتر در این نوع از نوسان¬سازها، از همان نواحی که با رسم معادلات خط مربوط به نواحی کاری ترانزیستورها بدست آمد، استفاده شد. به این صورت که اثر نویز در همه نواحی در نظر گرفته شد و رابطه کلی برای جیتر در نوسان¬ساز حلقوی به دست آمد. جهت درست آزمایی معادلات بدست آمده، نوسان¬سازهای حلقوی سه طبقه در تکنولوژی tsmc 0.18 μm cmos با پارامترهای مختلف، شبیه¬سازی و نتایج بدست آمده با نتایج تحلیلی مقایسه شده¬اند. آزمایش¬های انجام شده دقت مناسبی را نشان می¬دهند.

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

طراحی پیش تقویت‌کننده RGC کم نویز مدار مجتمع CMOS با پهنای باند GHz 20 و بهره dBΩ 60

در این مقاله، یک مدار تقویت‌کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm CMOS18/0 برای استفاده در سیستم‌های مخابرات نوری ارائه می‌شود. در این مدار یک پیش‌تقویت‌کننده RGC در ورودی استفاده شده است. ساختار RGC در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار RGC به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویت‌کننده امپدانس انتقالی میشود. د...

متن کامل

طراحی نوسان‎گر cmos حالت-جریان با نویز فاز کم

نوسان‎گر یکی از مهم ترین اجزای سیستم های فرستنده/گیرنده می باشند و عمل کرد آن ها تاثیر بسیاری در عمل کرد کل سیستم دارد، در نتیجه روش های طراحی و بهینه سازی نوسان‎گر ها یکی از چالش برانگیزترین موضوعات تحقیق بوده و می باشد. یکی از مهم ترین معیارهای عمل کرد نوسان‎گر نویز فاز است که پیش بینی، اندازه گیری و کاهش آن از جذاب ترین و در عین حال پیچیده ترین موضوعات تحقیقاتی بوده است. در این پایان نامه...

طراحی اسیلاتور موج میلی متری باند وسیع کم نویز cmos

در این پایان نامه نشان خواهیم داد که گین فعال اسیلاتور در فرکانس های موج میلی متری به ازای هر مقدار جریان، برحسب سایز ترانزیستورها و گین فیدبک اسیلاتور، بر خلاف فرکانس های پایین تر نقطه ی کمینه دارد. از طرف دیگر نشان می دهیم که ماهیت نویز ایجاد کننده نویز فاز اسیلاتور موج میلی متری، با ماهیت نویز در فرکانس های پایین تر متفاوت می باشد. این نویز بیشتر ناشی از تبدیل نویز am به pm و نویز گیت اسیلات...

15 صفحه اول

طراحی پیش تقویت کننده rgc کم نویز مدار مجتمع cmos با پهنای باند ghz 20 و بهره dbω 60

در این مقاله، یک مدار تقویت کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm cmos18/0 برای استفاده در سیستم های مخابرات نوری ارائه می شود. در این مدار یک پیش تقویت کننده rgc در ورودی استفاده شده است. ساختار rgc در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار rgc به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویت کننده امپدانس انتقالی میشود. د...

متن کامل

طراحی تقویتکننده کم نویز چند باندی cmos برای گیرنده های بی سیم

تقویت کننده های کم نویز یکی از اجزای اساسی در گیرنده های مخابراتی بی سیم هستند، زیرا عملکرد آنها کارآیی سیستم را از نقطه نظر نویز مشخص می نماید. تطبیق امپدانس مناسب در ورودی و خروجی تقویت کننده کم نویز، عددنویز پایین، خطسانی خوب و نیز بهره بالا به همراه مصرف توان پایین از ملاحظات مهم در طراحی تقویت کننده های کم نویز پهن باند هستند.

طراحی تقویت کننده کم نویز گیت مشترک cmos برای کاربردهای uwb

در این پایان نامه، جزئیات طراحی یک تقویت کننده کم نویز باند پهن ، در فناوری mcmosµ 18/0 مورد بررسی قرار می گیرد. در مدار ارائه شده ، با استفاده از ساختار گیت مشترک تطبیق امپدانس در پهنای باندghz6/10 -9/3 انجام شده است. با به کارگیری روش استفاده مجدد از جریان تقویت کننده بهره توان بالایی در حدود db18 و عدد نویز در حدود db7/3-4/2 ضریب انعکاس ورودی و خروجی(s11وs22 )به ترتیب کمتر از 10- و 5- به دست...

15 صفحه اول

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی (نوشیروانی) بابل - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023